参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMG6402LVT-7n:
说明	功率MOSFET   TSOT-26
起订量	3
最小包	3
现货	395 [库存更新时间：2025-04-11]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	11.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	498pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TSOT-26
连续漏极电流Id	6A
Pd-功率耗散(Max)	1.75W
Qg-栅极电荷	11.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	30mΩ
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	1.5V
上升时间	6.2ns
下降时间	2.8ns
典型关闭延迟时间	13.9ns
典型接通延迟时间	3.4ns
系列	DMG6402
通道数量	1Channel
配置	Single